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IMEC amplía la cartera de Photonics del silicio, apunta la interconexión de Next Generation Data Center

June 19, 2019

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IMEC amplía la cartera de Photonics del silicio, apunta la interconexión de Next Generation Data Center

Noticias de la industria

20190619

 

Extracto: Durante ECOC2019, IMEC, la investigación del nanoelectronics principal del mundo y de la tecnología digital y el centro para la innovación, en colaboración con el grupo de investigación de IDLab y de Photonics del laboratorio de investigación de Imec en la universidad de Gante, lanzó en común los jalones de logros importantes en la investigación fotónica de la tecnología del silicio (SiPho). La arquitectura demostrada de la construcción provee de una trayectoria realizable para los interruptores de centro de datos de la siguiente generación 400 GB/s, vínculos ópticos más de alta velocidad y el dispositivo óptico co-embalado que sean tecnologías claves para la transmisión de datos en los centros de datos futuros. Los puntos culminantes de este logro incluyen: (Tbps/mm2) prototipo óptico TSV-ayudado, de alta densidad del transmisor-receptor Cmos-SiPho, transmisor de baja potencia de 106Gb/de s PAM4 SiPho, germanio de alta velocidad/silicio APD, y acoplador unimodal de pequeñas pérdidas de la fibra de la ultra-banda ancha.

 

ICCSZ divulga que durante ECOC2019, IMEC, la investigación del nanoelectronics principal del mundo y de la tecnología digital y el centro para la innovación, en colaboración con el grupo de investigación de IDLab y de Photonics del laboratorio de investigación de Imec en la universidad de Gante, lanzó en común los jalones de logros importantes en la investigación fotónica de la tecnología del silicio (SiPho). La arquitectura demostrada de la construcción provee de una trayectoria realizable para los interruptores de centro de datos de la siguiente generación 400 GB/s, vínculos ópticos más de alta velocidad y los componentes ópticos co-embalados que sean tecnologías claves para la transmisión de datos en los centros de datos futuros. Los puntos culminantes de este logro incluyen: (Tbps/mm2) prototipo óptico TSV-ayudado, de alta densidad del transmisor-receptor Cmos-SiPho, transmisor de baja potencia de 106Gb/de s PAM4 SiPho, germanio de alta velocidad/silicio APD, y acoplador unimodal de pequeñas pérdidas de la fibra de la ultra-banda ancha.

 

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Como sabemos, el crecimiento exponencial de Internet y los usos relacionados han promovido el despliegue del centro de datos de la tecnología de la conexión óptica para alcanzar funcionamiento sostenible del crecimiento, el consumo de una energía más baja y un espacio más pequeño. En los cinco años próximos, la capacidad del vínculo óptico en el centro de datos será actualizada a 400Gb/a s multiplexando los cuatro canales de 100Gb/de s PAM4. Como consecuencia, el ancho de banda total que un solo interruptor de centro de datos necesita procesar alcanzará 51,2 TB/s, él necesita ser equipado de tecnología fotónica del transmisor-receptor del silicio de la ultra-alto-densidad y de un microprocesador altamente integrado y comúnmente embalado del interruptor Cmos.

 

Para ayudar a la industria para cumplir estos requisitos desafiadores y universales, IMEC y su laboratorio de investigación de la universidad de Gante están desarrollando las tecnologías claves para construir la arquitectura que utilizan la plataforma del photonics del silicio de IMEC para inyectar electrónica de alta velocidad en las obleas de 200m m y de 300m m.

 

Joris Van Campenhout, director óptico de la ingeniería de la entrada-salida de Imec comentó: “Nuestro sistema de R y de D ha alcanzado mejoras sostenibles en diversos niveles de tecnología del photonics del silicio, si su integración de proceso, dispositivos individuales, o nivel del submódulo. Estamos dispuestos a compartir nuestro progreso de la investigación con la industria y las universidades en ECOC y mirar adelante a la continuación ayudar a la industria de las comunicaciones en Europa u otras regiones mejoran para hacer frente a los desafíos dominantes de la tecnología de la conexión óptica de la siguiente generación.”

 

Uno de los puntos culminantes de la exhibición de Imec durante EOCO es primer FinFET híbrido Cmos de la industria/tecnología fotónica del transmisor-receptor del silicio con la ayuda de TSV, que utiliza la modulación de NRZ y el funcionamiento hasta una tasa de 40Gb/s. El prototipo alcanza una densidad impresionante del ancho de banda (1Tbps/mm2) en el consumo de energía ultrabajo, proveyendo de una manera de la puesta en práctica para los interruptores de centro de datos futuros los dispositivos ópticos co-embalados ultra-densos.

 

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Imec y la universidad de Gante también mostraron un 106Gb/un s el transmisor óptico, que utiliza el formato de la modulación PAM4. Este formato de cuatro niveles de la modulación ha sido adoptado extensamente por la industria estos últimos años. Se utiliza como transmisión monocanal 53GBd para los escenarios de la distancia de los metros ultra-500. Comparado con otros transmisores ópticos PAM4, la solución de IMEC no requiere ningún método o procesamiento de señales digitales equivalente. Integra dos moduladores paralelos de la electro-absorción de GeSi, y el resultado es el más compacto y de baja potencia (1.5pJ/b) el transmisor óptico que puede transmitir datos en 106 GB/s en una fibra del solo-módulo encima el 1km.

 

Al mismo tiempo, Imec también mostró su diseño optimizado del acoplador del borde, sobre la base plataforma de un photonics híbrido del Si/del pecado. Comparado a la fibra unimodal del estándar industrial, esta innovación proporciona el mejor rendimiento para la pila de la capa y actúa en el O y las bandas de C, la eficacia de acoplamiento de una sola fibra son 1.5dB. En el lado receptor, Imec ha introducido los fotodetectores de alta velocidad de la avalancha de GE/Si (APDs) con los aumentos multiplicados de los anchos de banda de 8 y 32 gigahertz, mostrando potencial significativo en la mejora del presupuesto de la sensibilidad del receptor y del vínculo óptico a 40Gb/s y a tarifas más altas.

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